Mercato futuro di carburo di silicio

Mercato futuro di carburo di silicio

Il suo ampio gap di banda (3,26 eV per 4H-SIC) consente il funzionamento a tensioni, temperature e frequenze più elevate mantenendo un'eccellente conduttività termica per un'efficace dissipazione del calore. Con estrema durezza (MOHS 9.5) e stabilità chimica, SIC eccelle in ambienti difficili.
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Descrizione

Caratteristiche chiave del carburo di silicio

 

Proprietà a semiconduttore a banda larga

Alta conducibilità termica (3 × silicio)

Tolleranza di temperatura e tensione estrema

Efficienza di commutazione superiore

Eccellente durata meccanica

 

Panoramica del mercato e driver di crescita

 

Il mercato globale del carburo di silicio (SIC) sta vivendo una rapida espansione, guidato dall'aumento della domanda di elettronica di energia ad alta efficienza energetica in più settori. Secondo i rapporti del settore (ad es. Developpement Yole, McKinsey), si prevede che il mercato SIC cresca a un CAGR del 30-35% dal 2023 al 2030, potenzialmente superiore a $ 10 miliardi entro il 2030.

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Driver di crescita chiave del carburo di silicio

 

Elettrificazione dell'automotivo:

I dispositivi di alimentazione basati su SIC (inverter, OBC) migliorano l'efficienza EV del 5-10%, estendendo l'intervallo e riducendo i tempi di ricarica.

L'adozione da parte dei principali automobili (Tesla, BYD, LUCID) e Tier -1 fornitori (Bosch, Infineon) accelera la penetrazione del mercato.

Espansione delle energie rinnovabili:

Inverter solari e convertitori di turbine eoliche beneficiano della gestione ad alta tensione di SIC e delle basse perdite, dell'efficienza del sistema di aumento.

Applicazioni 5G e RF:

I substrati SIC consentono dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza per stazioni base 5G e comunicazioni satellitari.

Richiesta industriale e aerospaziale:

Le applicazioni di ambientazione aggredita (motori industriali, aviazione, difesa) sfruttano la stabilità termica e chimica di SIC.

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Paesaggio competitivo e catena di approvvigionamento

 

Giocatori chiave:

Fornitori del substrato: Wolfspeed (US), II-VI (US), SK Siltron (Corea)

Produttori di dispositivi: STMicroelectronics (Europa), Infineon (Germania), su semiconduttore (USA), ROHM (Giappone)

Crescita dell'ecosistema cinese:

I giocatori domestici (SICC, TankeBlue) stanno ridimensionando la produzione di wafer 6- pollici, riducendo la dipendenza dalle importazioni.

 

Sfide della catena di approvvigionamento:

Difetti del wafer e problemi di rendimento:

I micropipe e le lussazioni nei cristalli SIC aumentano i costi di produzione (~ 3-5 × più alti rispetto ai wafer di silicio).

 

Limited 8- Wafer Adozione del wafer:

La maggior parte dei Fab usa ancora wafer 6- pollici, sebbene Wolfspeed e Ii-VI siano pilotanti 8- pollici di produzione per ridurre i costi.

 

 

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