Processo di produzione del cristallo singolo di carburo di silicio
Il carburo di silicio (SIC) è un importante materiale a semiconduttore con eccellenti proprietà termodinamiche ed elettriche. È ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici di potenza, dispositivi optoelettronici, sensori e altri campi. Il singolo cristallo in carburo di silicio è una delle forme più utilizzate di materiali in carburo di silicio. Il suo processo di preparazione è relativamente complesso, principalmente includendo la preparazione delle materie prime, la crescita dei cristalli e l'elaborazione del wafer.
Il materiale monocristallino in carburo di silicio utilizza principalmente polvere di grado Si ad elevata purezza come materia prima per coltivare cristalli singoli mediante metodi termodinamici. Innanzitutto è necessario selezionare la polvere di carburo di silicio adatta come materia prima. La purezza e la dimensione delle particelle della polvere hanno un'influenza importante sulla qualità del cristallo finale. In generale, la polvere di carburo di silicio di elevata purezza con un diametro della polvere compreso tra 1-5um viene selezionata e preriscaldata per rimuovere le impurità sulla superficie della polvere. Allo stesso tempo, è anche necessario preparare una quantità adeguata di solvente e disossidante per favorire la crescita dei cristalli di carburo di silicio.
Descrizione dei prodotti
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Nome prodotto |
Carburo di silicio |
| Espansività lineare |
1.5-2 |
| Durezza | Abrasivo convenzionale |
| Specifica | Accroduzione alla richiesta del cliente |
Logo e spedizione
D: Posso avere il mio LOGO sul prodotto?
Sì, puoi inviarci il tuo design e possiamo creare il tuo logo.
D: Puoi organizzare la spedizione?
Certo, disponiamo di uno spedizioniere permanente che può ottenere il miglior prezzo dalla maggior parte delle compagnie navali e offrire un servizio professionale.
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