Polvere di carbie di silicio per lucidare la lucidatura

La produzione di carburo di silicio comporta diversi processi complessi. Uno dei metodi principali è il processo di Acheson, che è stato sviluppato alla fine del XIX secolo. In questo processo, una miscela di sabbia di silice e coke di petrolio viene riscaldata in un forno di resistenza elettrica a temperature attorno a 2000 - 2500 grado. L'alta temperatura provoca una reazione chimica tra biossido di silicio nella sabbia e nel carbonio nella coca cola, con conseguente formazione di carburo di silicio. Tuttavia, il processo di Acheson produce in genere il carburo di silicio con impurità, che richiede ulteriori passaggi di purificazione.

Le moderne tecniche di produzione si concentrano sulla produzione di carburo di silicio a cristallo ad alta purezza e singola per applicazioni a semiconduttore. La deposizione di vapore chimico (CVD) è un metodo ampiamente utilizzato per la coltivazione di cristalli SIC SIC ad alta qualità. Nel CVD, una miscela di silicio volatile - contenente e carbonio - contenente precursori viene introdotta in un reattore ad alta temperatura. Questi precursori si decompongono e depositano silicio e atomi di carbonio su un cristallo di semi, coltivando gradualmente un grande Sic Boule. Il processo di crescita deve essere controllato con precisione per garantire la qualità del cristallo, poiché qualsiasi difetto può influire significativamente sulle prestazioni dei dispositivi basati su SIC. Dopo la crescita dei cristalli, i boule vengono tagliati, lucidati e trasformati in wafer, che vengono quindi utilizzati per fabbricare vari dispositivi elettronici e optoelettronici a base di SIC.

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