Tipi di leghe di silicio-carbonio

Le leghe di silicio-carbonio (SI-C) rappresentano un'importante classe di materiali con diverse composizioni e strutture, ciascuna su misura per applicazioni industriali specifiche. Queste leghe possono essere ampiamente classificate in base alla loro composizione chimica, struttura di fase e metodi di produzione.

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Descrizione

Classificazione per componenti primari

(1) Leghe dominanti al silicio (Si> 70%)

Composizione: contenuto di silicio elevato (70-90%) con carbonio (10-30%) e impurità minori (Fe, Al, CA).

Struttura: contiene cristalli di silicio liberi incorporati in una matrice di carbonio.

Applicazioni:

DOOSEXIDERS ACCIAIONE (SOSTITUZIONE FERROSILICON)

Modificatori in lega di alluminio

Precursore per la produzione di silicio ad alta purezza

(2) leghe dominanti al carbonio (C> 50%)

Composizione: alto contenuto di carbonio con 20-40% silicio.

Struttura: matrice di carbonio di grafite o amorfo con particelle SI o SIC disperse.

Applicazioni:

Materiali refrattari (foderamenti del forno)

Additivi conduttivi (batterie, elettrodi)

Carburi di fonderia

(3) leghe a base di carburo di silicio (SIC)

Composizione: SIC quasi stechiometrico (70% Si, 30% C).

Struttura: cristalli SIC legati in modo covalente (politipi -sic o -sic).

Applicazioni:

Abrasivi e utensili da taglio

Semiconduttori ad alta temperatura

Ceramica dell'armatura

silicon carbon alloy

Confronto dei voti commerciali

Tipo	Contenuto Si	Contenuto C.	Funzione chiave	Uso primario
SIC metallurgico	65-70%	30-35%	Alta tenacia	Additivi in acciaio
SI-C di livello batteria	40-60%	40-60%	Nano-poroso	Anodi di litio
SIC refrattario	30%	70%	Resistente agli shock termici	Parti della fornace
SIC di livello elettronico	50%	50%	Elevata purezza	Dispositivi di potenza

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Varietà funzionali speciali

(1) Leghe porose Si-C

Caratteristiche: High Surface Area (50-500 m²/g).

Usi: adsorbimento di gas, supporti catalizzatori.

(2) Leghe SI-C gradiente

Caratteristiche: la composizione varia gradualmente attraverso la struttura.

Usi: rivestimenti per barriere termici, elettrodi graduati.

(3) SIC a cristallo singolo

Metodi di crescita: modificato Lely, htcvd.

Gradi: 4H-SIC, 6H-SIC per l'elettronica di alimentazione.

Proprietà chiave: gap di banda largo (3.2 eV), alta tensione di rottura.

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