Nitruro di silicio di alto livello di prodotto

Microstrutture a mosaico di silicio parzialmente cristallizzate che si trovano innitruro di silicioFilm preparati da LPCVD. A seconda delle condizioni di crescita e del processo, la scala della struttura varia da decine a centinaia di nanometri. Sulla base dei risultati dello stress test e dei risultati di osservazione della microscopia elettronica a trasmissione dei film SINX coltivati ​​in diverse condizioni, la genesi della microstruttura dei film SINX ricchi di silicio e la loro interazione con lo stress nel film sono state analizzate e il processo di crescita del film LPCVD è stata ottimizzata, e il processo di crescita del film LPCVD è stato ottimizzato, e il film è stato ottimizzato per il film di 40 anni. Sulla base dei risultati di questo studio, LPCVD è stata realizzata la crescita controllata delle membrane SINX con stress di trazione determinato.

1.Nitruro di silicioI film sottili (sin _ x) sono stati preparati mediante tecnologia di deposizione di vapore chimico a bassa pressione (LPCVD) usando silano e ammoniaca come fonti di silicio e azoto, rispettivamente e azoto ad alta purezza come gas portatore. La cinetica di crescita dei film Sin _ X è stata studiata mediante ellipsometria, le proprietà dei film Sin _ x sono state caratterizzate dalla spettroscopia a infrarossi di Fourier e dalla spettroscopia a raggi a raggi X. Nelle stesse condizioni di altri processi, il tasso di crescita del film Sin _ X aumenta monotonicamente con l'aumento della pressione di lavoro e il rapporto (R) della portata dell'ammoniaca rispetto al silano nel gas di alimentazione ha un effetto opposto sul tasso di crescita del film. All'aumentare della temperatura di reazione, la velocità di deposizione aumenta gradualmente, raggiungendo un massimo di circa 840 gradi e quindi diminuendo rapidamente. Quando viene utilizzato R2, si ottiene un Sin ricco di Si _ X Thin Film (x1.33). Quando viene utilizzato R4, si ottiene un film Sin _ X con quasi-stoichiometrica (z≈1.33).

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