Eccezionale durezza e resistenza meccanica
Durezza MOHS di ~ 9.5, secondo solo al nitruro di diamanti e boro.
Altoresistenza all'usura, rendendolo ideale per applicazioni abrasive (ad esempio, macinare ruote, utensili da taglio).
Mantiene la stabilità meccanica anche sotto stress estremo.
Proprietà a semiconduttore a banda larga
Bandgap di 3,26 eV (4H-SIC), significativamente più grande del silicio (1,12 eV).
Abilita il funzionamento aTensioni, temperature e frequenze più elevate.
Riduce le perdite di energia nell'elettronica di alimentazione.
Altoresistenza al campo elettrico critico(10x quello del silicio), consentendo progetti di dispositivi più sottili ed efficienti.
Proprietà termiche eccezionali
Alta conducibilità termica (~ 490 W/m · K per 4H-SIC a temperatura ambiente), superando la maggior parte dei metalli e dei semiconduttori.
Eccellentedissipazione del calore, cruciale per l'elettronica di potenza e dispositivi ad alta frequenza.
Stabilità termica fino a 1.600 gradi(punto di fusione ~ 2.700 gradi), adatto per ambienti estremi (ad es., aerospaziale, reattori nucleari).
Vantaggi chiave rispetto ai materiali tradizionali
| Proprietà | Silicio carburo (sic) | Silicio (SI) | Nitruro di gallio (GAN) |
|---|---|---|---|
| Bandgap (ev) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Conducibilità termica | Alto (~ 490 W/M · K) | Basso (~ 150 W/M · K) | Moderato (~ 253 W/M · K) |
| Temp di funzionamento massimo. | ~ 600 gradi + | ~ 150 gradi | ~ 300 gradi |
| Resistenza al campo elettrico | 10x si | Basale | ~ 3x si |
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